SiC设备
SiC器件具有高阻塞电压、低损耗、高频工作和高温工作的优良特性。使用SiC的功率半导体可显著降低能耗，并可用于开发更小、更轻的产品。
产品列表
特性
IGBT混合模块SiC-SBD X系列/ V系列
- 高性能芯片
X系列/ V系列IGBT低损耗操作
SiC-SBD用于低损耗操作 - 与传统Si-IGBT模块相同的封装阵容
All-SiC模块
- 最新一代碳化硅沟槽门mosfet显著低损耗操作
- 与传统Si-IGBT模块相兼容的封装阵容
- 低电感封装
SiC肖特基势垒二极管(SBD)
SiC-SBD 2G系列
- 高速开关
- Low-VFV:F比常规产品低15%左右(与1G 650V相比)
- 低,我R
- 高浪涌电流能力FSM与传统产品相比，改进约60%。1 g)
SiC-SBD 1G系列
- 高速开关
- Low-VF
- 低,我R
- 高浪涌电流能力
