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IGBT
富士电气狗万manbetx手机版登录官网的IGBT模块已被开发用于电机、不间断电源等变速驱动器的电源转换器的开关元件。IGBT是一种半导体器件，它结合了功率MOSFET的高速开关性能和双极晶体管的高压/大电流处理能力。
SiC设备
SiC器件具有高阻塞电压、低损耗、高频工作和高温工作的优良特性。使用SiC的功率半导体可显著降低能耗，并可用于开发更小、更轻的产品。
万博手机下载电源控制集成电路
狗万manbetx手机版登录官网富士电气提供一系列AC/DC和DC/DC电源控制ic，支持各种电源电路。万博手机下载这些高效、低噪音、低待机功耗的产品符合各种环保法规。此外，集成电路本身内置了许多保护功能，这使得实现更小的功率电路成为可能。
功率场效应管
富士电气狗万manbetx手机版登录官网的功率mosfet系列从中等到高耐压类型，包括低功耗、低噪声和低通电阻等特点。我们还开发了“Super J MOS®”系列采用超结技术，主要用于600 V耐压产品。
整流二极管
狗万manbetx手机版登录官网富士电气的整流二极管具有低VF特性和低IR等特点，与电源的PFC电路和二次侧整流电路兼容。
压力传感器
狗万manbetx手机版登录官网富士电气的压力传感器在单个芯片上结合了压电电阻、调节电路和EMC保护，有助于减小系统尺寸。它们可以在很宽的压力范围内使用，可以应用于各种应用。