菜单

EV、HEV IGBT模块

该模块通过使用第七代RC-IGBT芯片和直接液冷结构实现了低损耗和小型化,该结构为模块配备了冷却单元。
它还通过内置的电流感应IGBT和温度感应二极管,确保快速准确的过热保护和短路保护。

系列列表

EV IGBT模块,HEV 750v级

VCE(sat):在Tvj=25ºC,芯片

设备类型 风投
伏特
集成电路(续)
安培。
集成电路(峰值)
安培。
VCE(坐)
Typ。伏
VF
Typ。伏
净质量
M653
M653
6 mbi800xv - 075 v - 01 750 570 1600 1.45 (IC = 800) 1.50(如果= 800) 560克

新产品

向上更新

UD正在开发的

页面顶部