IGBT 1包
1-Pack是一种单元素产品，适用于大容量电源转换器。
有两种标准封装:氧化铝和氮化铝用于绝缘DCB基板。
用于电气化铁路和电力系统的功率半导体需要具有高可靠性，大功率模块是合适的。
这些产品具有较高的热周期和功率周期公差，同时也确保了CTI大于600的跟踪性能。
系列列表
1-Pack V系列1200v, 1700v级
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| 包 | 集成电路 | 1200 v | 1700 v | |
|---|---|---|---|---|
| V系列 | V系列 | |||
| 氧化铝DCB | 氮化铝DCB | 氧化铝DCB | ||
 M153 |
300年,一个 | 1 mbi300v - 170 - 50 | ||
| 400年,一个 | 1 mbi400v - 120 - 50 | 1 mbi400vf - 120 - 50 | 1 mbi400v - 170 - 50 | |
| 600年,一个 | 1 mbi600v - 120 - 50 | 1 mbi600vf - 120 - 50 | 1 mbi600v - 170 - 50 | |
| 900年,一个 | 1 mbi900v - 120 - 50 | |||
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UD正在开发的
高功率模块V/U系列1200v, 1700v, 3300v
*点击产品图片查看等效电路图。
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| 包 | 集成电路 | 1200 v | 1700 v | 3300 v | |
|---|---|---|---|---|---|
| V系列 | V系列 | U系列 | |||
| Cu-baseplate | Cu-baseplate | AISiC-baseplate | AISiC-baseplate | ||
 M151, M155 |
800年,一个 | 1 mbi800ug - 330 | |||
| 1000年,一个 | 1 mbi1000ug - 330 1 mbi1000ug - 330 b |
||||
| 1200年,一个 | 1 mbi1200vc - 120 p | 1 mbi1200vc - 170 e | 1 mbi1200vr - 170 e | ||
| 1600年,一个 | 1 mbi1600vc - 120 p | 1 mbi1600vc - 170 e | 1 mbi1600vr - 170 e | ||
| 2400年,一个 | 1 mbi2400vc - 120 p | 1 mbi2400vc - 170 e | 1 mbi2400vr - 170 e | ||
 M152, M156 |
1200年,一个 | 1 mbi1200ue - 330 | |||
| 1500年,一个 | 1 mbi1500ue - 330 1 mbi1500ue - 330 b |
||||
| 2400年,一个 | 1 mbi2400vd - 120 p | 1 mbi2400vd - 170 e | 1 mbi2400vs - 170 e | ||
| 3600年,一个 | 1 mbi3600vd - 120 p | 1 mbi3600vd - 170 e | 1 mbi3600vs - 170 e | ||
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注1:M151、M152:铜基板、M155、M156:铝基板
注2:-330B型:开关损耗低
