狗万manbetx手机版登录官网富士电气杂志第70卷第4期4月/ (1997)
 |
功率半导体 |
功率半导体的现状与展望
肯尼亚樱井
据预测，高度信息化的社会将带来电能消耗的急剧增加。人们迫切需要改进用于控制电能的电力电子学，特别是功率半导体器件的效率。在专注于(1)智能电机控制和(2)智能电源管理的发展战略下，富士电机推进了基于MOS栅极器件技术的智能产品开发。狗万manbetx手机版登录官网本文概述了这些技术成果。
用于120kHz水平偏转的阻尼二极管
樱井敬二，堀内浩二
随着个人计算机和CAD在性能和功能上的进步，CRT显示器要求更大的屏幕和更高的分辨率。为了满足这些要求，人们努力向更大的梁电流和更高的水平偏转频率方向发展。在这些技术趋势下，富士电机大大改善了以前阻尼二极管系列的瞬态狗万manbetx手机版登录官网正激特性，并开始销售能够驱动高达120kHz的水平偏差电路的阻尼二极管PG124S15。本文介绍了阻尼器的概要。
用于高分辨率显示器的高压二极管
大田博之、渡岛武人、
在这个多媒体社会中，CRT显示器由于屏幕宽、分辨率高、成本低，在电子显示器中所占的比例仍然很高。特别是最近几年，市场对大尺寸、高分辨率CRT显示器的需求每年都在增加。在这种市场形势下，富士电机开发了用于宽屏高分辨率显示器的高狗万manbetx手机版登录官网速高压二极管。其优点是高频损耗小、整流大、抗冲击能力强。它们完全可以满足CRT显示器尺寸和分辨率的提高，将得到广泛应用。
新型功率MOSFET
藤泽直人，新井敏博，山田忠典
狗万manbetx手机版登录官网富士电机开发的SOP-8，低电压，低rds (on)(静态漏源导通状态电阻)，功率MOSFET适用于电池充放电和稳压控制的便携式设备，预计在未来更受欢迎。开发的重点是芯片的低rds (on)技术和封装的辐射特性和可靠性的改进。本文概述了SOP-8功率MOSFET的开发目标、芯片设计、封装设计、产品阵容、额定值和特性。
智能功率mosfet
木内申，工藤元井，八泽直树
汽车电子技术的进步每年都在加快。汽车制造商要求系统的尺寸和成本逐年减少。为了保护电源装置不受负载短路和浪涌电压的影响，汽车制造商通常会增加外部保护部件，这与上述要求背道而驰。为了解决这一问题，富士电机开发了将功率器件和狗万manbetx手机版登录官网自保护电路集成在芯片上的智能功率mosfet。本文主要介绍了这些MOSFET中的“高级MOSFET”系列。
工业用模制igbt
山口浩二，五十岚隆，石井健一
igbt由于具有大电流、高电压的特性，在工业领域，如逆变器的供电电路中得到了广泛的应用。万博手机下载狗万manbetx手机版登录官网富士电机目前已将模块系列商业化，主要针对大容量领域。最近，公司针对1kVA以下小容量领域的拓展，开发了模压TO封装的分立器件系列g系列igbt，本文对此进行了概述。
IGBT模块
宫下修司，拓久博博，吉瓦新一
在逆变器等电力电子领域，为满足市场对小体积、轻重量、高效率、低噪声的需求，igbt(绝缘栅双极晶体管)作为一种具有低损耗、快速开关的功率器件得到了广泛的应用。为了追求高可靠性等的总平衡，除了第三代IGBT的低损耗性能外，富士电机还开发了一系列新的第三代IGBT模块(n系列和g系列)。狗万manbetx手机版登录官网为扩大IGBT模块的高压大容量应用，本文介绍了新开发的NPT (non-穿孔)-IGBT和牵引用高压IGBT。
新型智能电源模块(r系列)
山口惇，市川广明
新开发的r系列智能电源模块(IPM)在常规功能的基础上，增加了直接检测IGBT芯片温度的内置保护功能。该功能可以保护IGBT芯片免受由于伺服驱动器的电机锁定应用等导致的温度急剧上升而造成的热破坏，这在以前的IPM中是不受保护的。此外，通过将内部IPM控制电路集成到IC上，大大减少了零件数量，从而减小了尺寸，提高了可靠性，降低了成本。
