家gydF4y2Ba>gydF4y2Bamanbatx手机客户端>gydF4y2Ba研究与开发gydF4y2Ba>gydF4y2Ba技术情报gydF4y2Ba>gydF4y2Ba狗万manbetx手机版登录官网富士电子杂志gydF4y2Ba>gydF4y2BaVol.81 2008gydF4y2Ba>富狗万manbetx手机版登录官网士电Vol.81-No》杂志上。6(11月/ 2008)gydF4y2Ba
狗万manbetx手机版登录官网富士电机株式会社Vol.81-No》杂志上。6(11月/ 2008)gydF4y2Ba
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半导体gydF4y2Ba |
功率半导体的现状和未来前景gydF4y2Ba
Yasukazu塞其高桥Yoshikazu Tatsuhiko FujihiragydF4y2Ba
环境问题演变成严重的社会问题、电力半导体器件提供有价值的解决方案。的现状和未来前景的主要产品组功率半导体器件。最新的v系列第六代IGBT和介绍了大功率IGBT模块。新开发的EgydF4y2Ba3gydF4y2Ba系列高压mosfet和介绍了几种低损耗和适用的电源电路。最后,COC(芯片芯片)包组装技术被描述为新集成汽车用沟mosfet。gydF4y2Ba
混合动力电动汽车的IGBT模块gydF4y2Ba
总裁中西宏明市川武Ichimura Shin SoyanogydF4y2Ba
这里介绍混合动力汽车的IGBT模块能够有助于减少逆变器大小和改善能源效率通过再生制动。这个我们见面需要进一步改善混合动力汽车的燃油消耗和降低成本。gydF4y2Ba
这个混合IGBT模块实现了逆变器转换效率的提高和降低模块大小通过应用视场光阑trench-gate IGBT为600 V的应用程序类型。进一步,采收率提高再生制动的操作通过优化自由轮二极管芯片大小。同时,传感器的响应的瞬态温升IGBT芯片提高了IGBT使用内置的芯片上的温度传感器。gydF4y2Ba
这个混合IGBT模块实现了逆变器转换效率的提高和降低模块大小通过应用视场光阑trench-gate IGBT为600 V的应用程序类型。进一步,采收率提高再生制动的操作通过优化自由轮二极管芯片大小。同时,传感器的响应的瞬态温升IGBT芯片提高了IGBT使用内置的芯片上的温度传感器。gydF4y2Ba
大功率IGBT模块gydF4y2Ba
隆Nishimura Yoshikazu高Osamu及其gydF4y2Ba
市场对新类型的能源如风能和太阳能,不使用化石燃料,以限制全球变暖,一直在快速增长。针对应用程序在这个新能源行业,富士电气公司重新开发大功率IGBT模块。狗万manbetx手机版登录官网他们配备U4芯片,提高热特性和环境要求。他们1200年和1700年的等级电压V,评级目前的600年到3600年。包的尺寸是130×140毫米或190×140毫米,并被配置为1-in-1或二合一模块。gydF4y2Ba
紧凑的发展为ipm驱动晶片gydF4y2Ba
孝宏森彰Nakamori Takuo YamamuragydF4y2Ba
电力设备的进一步小型化和提高效率起着重要的作用在保护全球环境。针对要求更高的效率,更高的性能,更低的成本和稳定的供应ipm(智能功率模块),将IGBT驱动器集成电路集成到一个单一的包,一个小型高效能的ipm驱动晶片已开发和介绍了。gydF4y2Ba
SuperFAP-EgydF4y2Ba3gydF4y2Ba900 V系列gydF4y2Ba
孝宏针对久保山之,掀起Tadanori山田,Niimura靖gydF4y2Ba
500 - 600 v SuperFAP-E的产品gydF4y2Ba3gydF4y2Ba系列,支持的关键挑战更高的效率和更低的噪音在开关电源中,在2007年被商业化,900 V系列产品相同的最近发展。特别是自900 V高压产品,产品是一个雪崩阻力和门电压VgydF4y2BaGSgydF4y2Ba扭特性提高了,一个容易使用的产品有更低的损耗和更高的抗损坏了。本文概述了SuperFAP-EgydF4y2Ba3gydF4y2Ba900 v系列。gydF4y2Ba
SuperFAP-E3S低路上系列gydF4y2Ba
Ryu荒木,Yukihito Hara Sota渡边gydF4y2Ba
提高开关电源的效率需求增长迅速,同时实现低开关损耗和低噪声为开关设备是至关重要的。狗万manbetx手机版登录官网富士电气的新开发SuperFAP-EgydF4y2Ba3 sgydF4y2Ba低的问gydF4y2BaggydF4y2Ba系列实现一种改进的开关损耗和噪声之间的权衡由于减少门问gydF4y2BaggydF4y2Ba约20%相比之前设备和优化获得(ggydF4y2BafsgydF4y2Ba),同时保持行业最低的导通电阻与planar-type MOS结构的现有产品。此外,提高整个系统的功率效率和较低的温度上升是由于应用程序实现的。gydF4y2Ba
汽车电气系统的沟MOSFETgydF4y2Ba
Yasuhiko Arita,中村Kenpei Takeyoshi西村gydF4y2Ba
沟MOSFET系列产品有低导通电阻、高门阈值电压和高可靠性已经开发了电动助力转向系统和混合动力汽车的直流-直流转换器等。旨在提高燃油经济性和减少汽车对环境的负荷,减少消费电力汽车电器元件,甚至降低汽车- mosfet的导通电阻被要求使用。以响应这些请求,已研制出的一种新型的沟MOSFET与细沟结构设计规则。gydF4y2Ba
智能功率MOSFETgydF4y2Ba
岩田聪,义明Morio Iwamizu,丰田章男gydF4y2Ba
狗万manbetx手机版登录官网富士电机株式会社已研发了一种智能功率MOSFET“F5060L”包含一个负载检测电路和输出电路状态,并实现低开态电阻350 mΩ(max)相比600 mΩ之前富士(max)的设备。F5060L实现低开态电阻由于准平面结(QPJ)晶片加工技术和细的IC电路线宽度和较小的芯片尺寸由于第三代1.5隔离μm时期过程技术。即使有这些功能和性能增强,2声道芯片可以安置在传统SOP-8包。gydF4y2Ba
低备用电源准谐振电源控制器FA5571系列万博手机下载gydF4y2Ba
Hiroshi Maruyama Shinichi手冢,Hironori FuchisakigydF4y2Ba
全球变暖的问题近年来受到关注,并努力提高效率,减少待机功耗的液晶电视、音频设备、电脑等已经成为关键的挑战,和节能规范,如国际能源之星项目正在升级到更严格的。狗万manbetx手机版登录官网富士电机株式会社是推进发展的一系列开关电源控制器芯片,将启动元素有效地实现低功耗。万博手机下载介绍富士的一系列准谐振电源控制器芯片待机功耗降低操作间歇地或在低频光加载或卸载状态虽然电动产品处于备用状万博手机下载态。gydF4y2Ba
FA5560M Combo-IC临界导电模式PFC和当前的共振gydF4y2Ba
Koji Sonobe Shinichi手冢肯•陈gydF4y2Ba
近年来,更严格的节能标准和谐波法规要求对所有电气产品;有源滤波是用于抑制谐波电流和高效lownoise电流共振方法越来越多的被用于离线转换器。本文概述富士电气的新开发的combo-IC PFC和电流共振临界导电模狗万manbetx手机版登录官网式。电力供应的结果评价的集成电路验证其万博手机下载适用性高功率因数、高效率、低备用电源的应用程序。gydF4y2Ba
高效巴克转换器集成电路gydF4y2Ba
Makoto Owa Masayuki Yamadaya,彰IchiokagydF4y2Ba
最近和突然的流行数码家电和工业用数字设备组成市场的扩张,更高的效率、更小的尺寸、高可靠性和低电压运行的能力要求的产品,和巴克转换器ICs必须支持这种操作要求。针对这些市场需求,以实现更高的效率,更高的频率,高可靠性,低电压和更少的外部部分比模型之前,富士电气开发了一种hiccup-operation巴克转换器集成电路,集成了一个高压侧n沟道MOSFET的负载电流在45 V 1.5,和也有内置的电流模式控制和相位补偿。狗万manbetx手机版登录官网gydF4y2Ba
多通道集成开关电源转换器为便携式电子设备gydF4y2Ba
Makoto Owa Kazuya Endo,彰IchiokagydF4y2Ba
便携式电子设备,如数码相机需要规模较小,重量轻,操作来达到延长电池寿命。这些设备使用的电源还需要小,轻,低电流消耗和效率高。狗万manbetx手机版登录官网富士电气开发了FA7763R,一个7通道电源转换器,其中包括一个功率MOSFET和支持多通道的同步整流和电流模式控制电源。gydF4y2Ba
一个复杂的单片机为汽车点火器gydF4y2Ba
沼泽Ishii贤Miyazawa Tsuyoshi山本gydF4y2Ba
支持安全、舒适和节能要求的汽车和解决环境问题,许多车辆组件被设计为电子元件。这些电子元件必须高度可靠操作严重的条件下,当安装在一辆汽车。支持操作兼容各种假定电应力和条件在实际的车辆中,富士电机株式会社已经开发出一种复杂的点火器,提供自己的保护作用。狗万manbetx手机版登录官网此外,为了继续使用传统的小包装大小,一个电源电压的电路配置是对电压和一线过程应用于点火器的发展。万博手机下载gydF4y2Ba
SMD-type小对高空大气压力传感器补偿gydF4y2Ba
其它齐藤,他们Ashino, Shojiro KurimatagydF4y2Ba
在汽车行业,努力解决环境问题与加强监管,提高和实现的重要性提高了精度和效率的汽车发动机管理和压力传感器的重要性,这是一个关键设备,正在增加。本文描述了一种新开发的小型大气压力传感器使用第五代数字微调式压力传感器芯片,可以安装一个表面挂载设备(SMD)一个ECU板用于高海拔高海拔补偿当汽车旅行。这个新开发的传感器是大约65%的大小我们先前的传感器。gydF4y2Ba
功率损耗和温度模拟器IGBT模块gydF4y2Ba
佐藤Takaku、精Igarashi Osamu IkawagydF4y2Ba
热设计已经成为一个越来越重要的因素发展的电力转换设备,使用半导体器件,和富士电气开发了前轮驱动功率损耗和发布了IGBT /仿真工具(版本。狗万manbetx手机版登录官网4)基于一维热阻模型,使简单的计算耗散损失和温度上升的IGBT模块逆变电路。这个版本的模拟工具添加了一个计算函数,考虑了散热器的热阻和连续函数计算耗散损失和温度根据可变负荷模式。结果,计算可以根据设备的实际操作,使用富士电气的igbt。狗万manbetx手机版登录官网gydF4y2Ba
传导EMI噪声的建模和降噪技术gydF4y2Ba
陈Shuangching,佐藤Takaku,精等gydF4y2Ba
计算机和仿真技术的发展使噪音水平和高度的预测精度和更短的交货期为设计。狗万manbetx手机版登录官网富士电用PSIM仿真复制共模漏电流,然后验证仿真结果匹配的降噪效果的实验结果。本文提出了一种有源滤波器,用于取消共模电压,可实现小体积低压过滤器从发现共模电压除以电动机的杂散电容和电容连接到地面。gydF4y2Ba
沟填外延生长技术gydF4y2Ba
仁栗林博士,Kazuya山口,若YajimagydF4y2Ba
沟填外延生长技术用于填充深海沟介绍了硅衬底上制作的。优化选择的外延生长条件和晶体方向制造的战壕使战壕了没有任何空隙。一个超级结底物可以捏造填充壕沟时通过引入杂质。西姆斯和SCM是用于验证中杂质的分布是均匀的超级结基质填沟臆造出来的。gydF4y2Ba
汽车系统的ip设备技术gydF4y2Ba
丰田章男义明祐一Harada Akihiro JonishigydF4y2Ba
支持趋势较小的尺寸和更高的汽车电气系统的可靠性,富士电气开发了automotiveuse智能力量隔离开关(IPS),使用一个时期过程输出级电力设备和外围电路集成到一个芯片上。狗万manbetx手机版登录官网介绍了新开发的ip设备汽车系统技术,结合改进的垂直电力设备技术与1.5μm横向CMOS技术。使用这种技术,大小减少30 - 50%与以前的设备相比,和开态电阻单位面积也减少了25%。gydF4y2Ba
技术控制碳化硅功率场效应管槽的形状gydF4y2Ba
Yasuyuki Kawada Tawara武,Shunichi中村gydF4y2Ba
提高碳化硅功率场效应管的性能,技术提高沟形状控制和边墙平面度检查。沟的形状可以改变通过退火SiH4 / Ar在1700的氛围gydF4y2BaogydF4y2BaC,内部的墙壁沟可以平坦,不改变槽的形状,通过退火的氛围中HgydF4y2Ba2gydF4y2Ba在1500gydF4y2BaogydF4y2Ba通过按顺序执行硅gydF4y2Ba4gydF4y2Ba1700年/ Ar退火gydF4y2BaogydF4y2BaC和HgydF4y2Ba2gydF4y2Ba退火在1500gydF4y2BaogydF4y2BaC、沟角落的圆度和半圆形海沟底部可以控制的轮廓,和胎侧沟可以同时平。这项技术有望帮助提高设备耐压和提高电子通道流动。gydF4y2Ba
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