狗万manbetx手机版登录官网富士电气杂志第80卷第6期(2007年11月/)

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狗万manbetx手机版登录官网富士电机半导体:现状与未来展望
Tatsuhiko Fujihira, Hisao Shigekane
保护全球环境，特别是减少全球CO2排放问题对人类社会来说变得越来越重要。利用扩大电力电子设备使用、提高电力转换效率和减少资源使用的趋势，富士电机一直在帮助减少全球CO狗万manbetx手机版登录官网2通过提高其功率半导体产品的性能、紧凑性、可靠性和成本来实现排放。本文介绍了富士电机的主要产品:功率模块、功率分立器件和功率集成电路的现状和未来展望。狗万manbetx手机版登录官网
用于混合动力汽车的镀芯片
桃田征治，阿部仁，堀泽孝
为了进一步普及混合动力汽车，需要具有更高输出和更小尺寸的系统，这有望有助于防止全球变暖。IGBT芯片作为这些车辆的动力装置，需要配备适合高电流密度和双面冷却结构的电极结构。狗万manbetx手机版登录官网富士电机通过应用1200 V FS(现场停止)型沟槽栅IGBT技术，为IGBT开发了电池结构，与传统工业用IGBT相比，电流密度提高了1.6倍。此外，通过在芯片表面镀镍铝电极的端面制备了电极。
第六代IGBT-PIM与新芯片和封装技术
中野春人，小泽雄一，伊川修
本文介绍了富士新型v系列紧凑型IGBT-PIM。新型pim集成了低噪声辐射、高性能和紧凑尺寸的设计理念。低热阻抗封装技术与新开发的第6代v - igbt的结合带来了技术突破。因此，PIM额定功率已扩展到1200 V-150 a的封装尺寸，与传统PIM相当。
弹簧接触模块U4系列IGBT
金田裕敏，冲田肃一，内山拓
电力电子设备，以不间断电源和各种逆变器为代表，对更高的效率、更小的体积、更低的成本和更小的噪音提出了永无止境的要求。电力电子设备中使用的功率转换半导体元件也要求具有更高的性能、更低的成本和更高的可靠性。而为了应对环境问题，无铅焊料最近也开始被使用。此外，这些器件还要求具有易于组装的特性。
本文介绍了配备U4芯片的弹簧接触模块，旨在提高性能并使用无铅焊料。
3.3 kV IGBT模块
古贺武春，Kakiki秀明，小林隆敏
本文介绍了为适应市场对更高电压(3.3 kV及以上)、更高容量IGBT模块的需求而新研制的3.3 kV-1.2 kA IGBT模块的概况和性能特点。狗万manbetx手机版登录官网采用富士电机的u系列igbt，实现更低的损耗。该模块实现了150℃的最高工作温度和充足的开关耐受能力的优秀特性。该封装使用AlN隔离基板和AlSiC基板，以提高可靠性并降低热阻。并对隔振设计进行优化，选用元器件材料，使其具有足够的隔振性能。
使用磁能回收开关的功率转换系统
高武，五十岚精树，岩室纪之
本文介绍了磁能量回收开关(MERS)在同步发电机发电系统中的应用。通过补偿发电机的同步电抗压降，可以提高发电机电压，降低输出电流。此外，针对MERS低速开关特性优化的低电压(1.54 V) IGBT的开发，使功率转换系统的总功耗与基于传统PWM转换器的系统相比降低了20%。
Fi007混合动力汽车igbt驱动IC
西尾实，山崎友之，船志高明
Fi007 IC是用于驱动汽油混合动力汽车动力转换系统中igbt的专用IC。该集成电路将15v的igbt驱动和保护功能(过热、过流和电源压降保护、软中断)集成在一个芯片上，有助于igbt的稳定运行和防止烧毁，以及系统的小型化。该封装是无铅兼容SSOP-20，其高可靠性是通过使用能够承受175℃温度的键合线来确保的。
汽车用单芯片点火器
细川英司，石井健一，中村浩
为了支持环境问题，并满足提高安全性、舒适性和节能的需求，大多数汽车部件都是作为电子部件制造的。而电子部件由于辐射噪声可能会产生电磁干扰，电磁灵敏度容易受到周围噪声的影响。因此，降低辐射噪声对点火器也很重要。本文介绍了富士电机开发的汽车用单片机点火器及狗万manbetx手机版登录官网其降低辐射噪声的特点。
第五代数字微调式小型压力传感器芯片
齐藤和典，西川武夫，阿野Kimihiro
在汽车行业，随着环境相关法规的收紧，解决环境问题的力度加大，对更高精度和更高效的汽车发动机管理的重要性也在增加，而压力传感器这一关键设备也在增加。狗万manbetx手机版登录官网富士电机最近开发了第五代数字微调型小型压力传感器芯片。本文介绍了该产品的概况，并介绍了与芯片小型化相关的设计技术。新开发的芯片具有与第4代常规量产芯片相同的功能、精度和EMC保护，但其芯片面积是第4代芯片的70%。
FA3931CB系列锂离子电池保护芯片
新井裕久，小林吉典，杉本正敏
近年来，为了使便携式电子设备更方便携带，并增加电池电源的使用寿命，对这些设备中使用的半导体元件的体积更小、重量更轻、功耗更低的需求非常强烈。
随着便携式电子设备变得越来越小、越来越薄，作为其电源的锂离子电池也迫切需要做得更薄。本文介绍了富士电机最新商业化的锂离子电池保护狗万manbetx手机版登录官网ic系列，该系列将在未来实现更薄的电池。
同步降压转换器集成电路
山田雅之，佐佐木修
近年来，随着平板电视等产品的迅速普及，对主要从24v和12v输入中间总线降压的buck转换器ic的需求也有所增加。此外，由于设备越来越薄，功能越来越强，降压转换器的尺寸越来越小，输出的电流也越来越大。为了实现在更高频率和更大电流输出的工作目标，富士电机开发了一款同步降压转换器IC，其最大输入为28 V，电流模式控制，内部高侧N沟道MOSFET，最大输出电流为3 a。狗万manbetx手机版登录官网本文介绍了富士电机的新型同步降压变换器集成电狗万manbetx手机版登录官网路。
第三代微型DC/DC变换器系列
矢崎骏，横山武，山田高文
2004年推出的FB6800微型转换器系列是一系列单通道DC/DC转换器模块，将电感和控制IC集成到超紧凑的尺寸中。
狗万manbetx手机版登录官网富士电机的第三代FB6832J系列保持了与第二代设备相同的结构，但占地面积小了19%。此外，针对300 mA或更少的小电流应用，通过采用适合小尺寸电感的设计来保持高效率。本文介绍了富士电机的第三代微型变换器，重点介狗万manbetx手机版登录官网绍了FB6832J系列。
600v低损耗快速恢复二极管超级LLD3系列
森本哲弘，渡岛武人，一濑正明
开关电源正朝着更高频率、更高效率的方向发展。一些大容量电源已经配备了功率因数校正(PFC)电路，以防止高谐波，降低这些PFC电路中使用的高速二极管和MOSFET的损耗是提高电源效率的一个问题。万博手机下载为了减少这种损耗，富士电机新开发并商业化了8至20 A的Su狗万manbetx手机版登录官网per LLD3系列二极管，与传统二极管相比，同时实现了25%的trr速度和20%的VF降低。使用这种超级LLD3系列不仅可以降低二极管损耗，还可以降低MOSFET损耗，整个PFC电路的温度更低，效率更高。
第六代mosfet superap - e3系列
原行仁，山田忠典，新村康
在开关电源领域，高效率和低噪音是关键因素，因此对低损耗、低噪音和易于使用的器件有很大的需求。针对这一需求，富士电机开发了superap - e3狗万manbetx手机版登录官网系列mosfet，实现了高性能和易用性。新开发的边缘终端结构和优化的准平面结实现了平面功率mosfet，在保持高雪崩耐用性的同时，RDS (on)提高了约18%。此外，还改进了基于栅极电阻的开关dv/dt控制。
FA5553/5547系列多功能低待机功率PWM电源ic万博手机下载
藤井正立，丸山浩，博库可可
全球变暖是一个世界性的问题，节能成为所有电子产品的重要问题。越来越多的人要求在不使用设备时降低待机电流消耗，始终插入电源插座，这是开发阶段需要解决的问题。为了满足这一要求，富士电机正在加强支持低待机功率的狗万manbetx手机版登录官网功能，并开发并商业化了FA5553/5547系列电流模式PWM控制ic，该ic具有针对每个产品优化的增强保护功能。本文介绍了这些控制集成电路的特点，并给出了它们在电源电路中的应用实例。万博手机下载
FA5550/5551系列连续电流模式PFC电路电源ic万博手机下载
鹿岛正人，杉原隆人，藤崎广典
随着开关电源的广泛应用，主路谐波电流问题日益受到人们的密切关注。为了解决这一问题，8针临界传导模式FA5500/5501系列和16针连续电流模式FA5502系列已作为有源滤波器电路的控制ic商业化。本文介绍了富士电机最近开发的FA5550/5551系列8针连续电流模式狗万manbetx手机版登录官网ic，该ic具有简单的有源滤波电路设计和很少的外部安装部件。
第五代PDP地址驱动IC
野山隆宏，福地秋宏，若林高正
随着PDP电视和LCD电视之间竞争的加剧，对PDP地址驱动ic的更高功能和更低成本的要求越来越高。对此，富士电机开发了第五代狗万manbetx手机版登录官网工艺器件技术，并批量生产了配备高速数据传输技术等的地址驱动ic。第五代地址驱动ic与以前的ic相比缩小了30%。本文详细介绍了上述技术，并对这些产品进行了概述。
具有250v屏蔽能力的SOI器件和工艺技术
隅田仁，Maikuma武
本文介绍富士电机在2006年完成的具有250狗万manbetx手机版登录官网v阻塞能力的SOI器件的开发。可用的器件是一个横向IGBT，一个横向NMOSFET，一个具有厚栅膜和横向二极管的横向PMOSFET。以250v的耐压为目标，每个设备都具有300v的耐压能力，以便在施加250v电压时保证运行过程中的耐击穿。本文概述了SOI器件的工艺技术和横向IGBT技术，并介绍了具有250v屏蔽能力的SOI器件的耐压设计实例。
YAG激光Cu/CuMo引线框连接技术
吉原克彦，横美俊之，后藤友明
采用YAG激光对IGBT和FWD芯片进行微型化是降低功率半导体模块产品成本的有效手段。然而，由于小型化，芯片表面可用布线空间的减少已经达到了传统铝布线的物理极限。此外，随着功率半导体模块的电流增大，芯片和铝线的散热技术也变得重要起来。针对这些问题，富士电机开发了一种技术，使用脉冲YAG激光将狗万manbetx手机版登录官网由Cu制成的引线框架焊接在由CuMo制成的散热器上。
厚SiO2薄膜的介电击穿机理
菅原义行，栗林仁，小野雅明
本文着重研究了厚(15 nm) SiO2薄膜的介电击穿特性。在不同的偏压条件下，使用Fowler-Nordheim和衬底热孔注入技术测量了介电击穿随时间的变化。结果表明，在氧化膜较厚的情况下，威布尔斜率fタ是应力条件的函数，且比渗流理论预测的值小得多。本文讨论了困孔对击穿特性的影响。

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