我们已经向市场推出了SiC混合模块，它结合了SiC- sbd芯片和Si-IGBT芯片。

与以前的产品相比，新开发的SiC混合模块具有更高的额定电压容量。

例如，容量为3300 V/1800 a的模块可以实现高效的逆变运行，同时产生的损耗比Si模块减少31%。

混合模块便于与现有Si模块进行替换，预计将扩大应用范围。

未来，我们还计划在其他包中扩展混合模块的使用。