狗万manbetx手机版登录官网富士电气已经开发了具有特征的SIC MOSFET和SIC SBD，例如高承受电压，低电阻和高速操作，在使用Si时无法实现。

通过采用我们独特的沟渠结构，富士电气达到了世界上最高的低特异性电阻水平（3.5MΩCM狗万manbetx手机版登录官网²）阈值电压为5 V，同时保持用于打开电流的“通道”的高可靠性。通过此，与先前的平面结构相比，我们成功地降低了50％以上的特异性电阻。

此外，我们使用独特的销钉连接的结构开发了具有高电流密度的专用SIC模块，该结构完全利用了SIC设备的优点。我们已经使用此设备实现了所有SIC模块。