2015年12月16日消息——总部位于日狗万manbetx手机版登录官网本东京的富士电机股份有限公司(TSE:6504)(“FE”)在总裁Michihiro Kitazawa的带领下,很高兴地宣布将发布高速离散IGBT*“高速W系列”作为新的功率半导体产品系列。 *分立的:单一功能的半导体器件,如晶体管或二极管 1.背景
2.产品特性
(1)降低功率损耗,有利于节能 功率半导体反复执行快速开关(开关电源)以将直流转换为交流或控制电压。新产品系列将IGBT芯片做得更薄、小型化,从而使开关操作中的功率损耗(关断损耗)比传统产品(高速V系列)降低约40%。这有助于节省能源和降低安装产品的设备的电力成本。 (2)实现设备的小型化 与传统产品(约20 kHz)相比,减少了开关操作中的损失(抑制了热量产生),以实现与更高的开关频率*(20至100 kHz)的兼容性。 这使得缩小安装产品的设备的外围部件(线圈和变压器)成为可能,并有助于缩小设备本身的尺寸和降低总成本。 *每秒开关数 高速W系列外观 3.产品规格和发布时间
4.产品调查 参考:产品系列及主要规格
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