2009年6月22日Furukawa Electric Co.，Ltd。Fuji E狗万manbetx手机版登录官网lectric Holdings Co.，Ltd。

狗万manbetx手机版登录官网Fuji Electric和Furukawa Electric建立了下一代电力设备的技术研究协会

Furukawa Electric Co.，Ltd（总裁：Masao Yoshida；总部：Chiyoda-Ku，Tokyo）和Fuji Electric Advancation T狗万manbetx手机版登录官网echnology Co.，Ltd。（总裁：Naoya Eguchi；总部；总部：Hino-Shi，Tokyo，Tokyo）R＆D）富士电力控股公司有限公司的子公狗万manbetx手机版登录官网司（总裁：Haruo ITO；总部：Shinagawa-ku，Tokyo，Tokyo）宣布，两家公司都将建立下一代电力设备的技术研究协会，以共同开发NITRIDE（共同开发氮化胆碱（gan）电源设备。

Furukawa Electric在GAN的基础研究中具有力量，而Fuji Electric已经建立了质量生产和可靠性技术。狗万manbetx手机版登录官网通过以自己的优势相互补充，两家公司都将努力加速下一代电力设备产品的时间。今年已修订了日本采矿和制造技术法的研究协会，以使研究协会能够纳入和商业化研究成就。为了成为第一个经修订法律批准的协会，两家公司今天就为下一代电力设备的技术研究协会提出了申请。技术研究协会计划于2009年7月成立，旨在在2002年商业化GAN POWERS DEAMISS

（1）	通过开发GAN电源设备来促进电力电子设备的进步，这有助于节能和环境保护
硅（SI）目前被用作电源设备的中流材料。但是，认为由于已经达到极限，因此不可能减少进一步的能源损失。因此，诸如GAN和碳化硅（SIC）之类的新材料一直在引起注意。Sic Sc​​hottky二极管（SBD）※1）已经在市场上可用，但是由于成本较大，很难使用SIC创建大型基材。GAN电源设备具有巨大的潜力，可用于高速开关设备，并由于其出色的功能（例如高压和低损坏）而替换为IGBT。但是，它仍然没有超出研究水平。 同时，在过去几年中，晶体缺陷已大大降低，设备性能得到了显着改善。这使我们能够在几年内原型制作开关模式电源所需的高效电源。通过成为第一个在市场上提供原型的人，富士电力集团可以为电力电子产品的进度做出巨大贡献，并迈出了朝着GAN Power Devic狗万manbetx手机版登录官网es的商业化迈出的一大步。
（2）	通过利用两家公司的各自核心技术来加速下一代产品的开发
Furukawa Electric在GAN Power Device领域取得了重大成就，并通过使用GAN对晶体管和二极管的连续研发努力吸引了世界的注意（见图1）。 狗万manbetx手机版登录官网富士电力集团的R＆D子公司Fuji Electric Advanced Technology Co.，Ltd.具有电源设备开发中的核心技术（见图2）和电力设备应用程序的R＆D，包括逆变器和电源，包括逆变器和电源作为许多从事不同设备设计和流程的研究人员和工程师。

图1.加工的外延晶圆（Furukawa Electric）	图2.电源设备（富士电气）狗万manbetx手机版登录官网

今天宣布的合作使两家公司能够互相利用优势，以加速实用电力设备的开发（见图3）。此外，通过在两家公司之间分享研发成本，将使大型的研发项目成为可能，从而减少了时间 -市场。

图3.两家公司的竞争优势和协同作用

（3）	根据日本采矿和制造技术法的修订研究协会纳入研究成就
1961年成立了日本采矿和制造技术法的研究协会，以增强对研发资源的有效利用。从那时起，许多私营公司和其他组织就根据法律建立了针对联合研发项目的技术研究协会。 2009年4月30日，法律进行了修订，以便可以将技术研究协会更改为公司以将研究成就商业化。此外，现在允许在两家公司的同意时提出技术研究协会的基础申请。这将简化和促进申请程序。在此背景下，两家公司都提出了申请，旨在成为第一个经修订法律批准的协会。

由于可以在SI上创建设备，如果使用GAN，GAN在成本方面比SIC具有更大的优势，在这种成本中，基板成本预计不会很快降低。因此，该设备将针对低压和中低压市场，在那里必须满足更艰巨的成本要求。同样，甘恩电源设备是绿色设备，可帮助实现低碳社会，能源损失超过SI设备。此绿色功能将适合混合动力和电动汽车市场，以及工业电源和通用逆变器市场。万博手机下载利用GAN的高速切换功能，还可以预计新的机会。关于此问题的技术研究协会将进行进一步的讨论。

（1）	目的
该关联旨在在3年内开发和商业化SBD和金属氧化物半导体田间效应晶体管（MOSFET）。
（2）	姓名
该协会的名称将是下一代电力设备技术研究协会。
（3）	地点
该协会将在Furukawa Electric的横滨研究中心建立。
（4）	贡献
该协会的第一年将持续8亿日元。
（5）	组织
Fuji Electric Holdings总监Hisao狗万manbetx手机版登录官网 Shigekane将被任命为协会主任，Furukawa Electric的公司高级副总裁Kazunori Nakamura将被任命为执行董事。第一年将分配22个研究人员。

（1）	外延技术的发展
为了实现SBD和MOSFET的商业化，两家公司都将开发用于在SI底物上增长高质量GAN CRYSTAL的技术，预计成本会降低。具体而言，两家公司都将努力减少晶体缺陷和结晶压力，以通过使用外延晶体生长技术来提高质量※2以及SI基板上缓冲层的控制沉积条件。
（2）	SBD和MOSFET设备的开发
两家公司将开发设备结构以及创建适用于开关模式电源的低损坏二极管和MOSFET所需的过程技术。两家公司不仅会研究设备结构，还将研究和评估设备实施结构的可靠性。根据结果​​，将创建设计样品和工程样本以公开评估。
（3）	商业化研究
将GAN SBD和MOSFET的功能视为电源半导体设备，两家公司都将寻求并确定GAN设备比现有SI或SIC设备具有优势的适用市场。两家公司还将阐明适用市场所需的设备规格和成本，并将其纳入开发目标，并提出可以开发哪种业务。

2009财年：	600V承受压力SBD的原则原始原型和过程问题的识别 MOSFET结构的审查和原理原始原型
2010财年：	设计样品的生产
2012财年：	工程样本的生产和批量生产线的讨论

※1SBD：Schottky二极管
Schottky二极管使用金属 - 障碍物连接作为Schottky屏障（而不是像常规二极管那样的半导体 - 轴导孔连接）。与P-N连接二极管相比，这种Schottky屏障导致非常快速的切换时间和低向前电压下降。

※2外延晶体生长
它是一种膜晶体生长技术之一，在其中生长并对齐晶体底物的表面。在GAN功率设备中，在放置在SI基板上的缓冲层上生长外延晶体。