2008年8月27日富士电器科技狗万manbetx手机版登录官网有限公司

狗万manbetx手机版登录官网富士电机发布IGBT模块
大容量工业设备
使用FDT的第五代IGBT, U4系列的新产品已添加到产品线中

狗万manbetx手机版登录官网富士电气设备技术有限公司(“FDT”)(总裁:重根久雄)今天宣布，它已经成功开发并将开始销售大功率模块2008年10月，该公司推出了采用第五代IGBT (U4系列)的新产品。大功率模块具有业界领先的导热性能、低功耗和低噪声，支持更大的额定电流，封装尺寸与传统模块相当。FDT提供的igbt主要用于中等工业功率应用，如中等容量的逆变器和电梯。这一新产品将允许FDT将其IGBT应用扩展到用于风力发电机系统或工业基础设施领域的高压、大容量逆变器的电力转换系统。通过扩大销售范围，FDT将进一步提高其在工业市场上igbt的份额。

FDT的目标是在2009年实现每月5000台电力转换系统的销售，这些系统用于风力发电机系统或工业基础设施领域的高压、大容量逆变器，这些领域的需求旺盛。

启用下面描述的特性大功率模块支持更大的电流额定值(1200V/600A-3600A, 1700V/600A-3600A)，封装尺寸与传统的相当。大容量设备通常使用多个半导体并行连接，以处理大电流。高功率模块在单个单元中支持大电流，将帮助设备制造商减小产品尺寸。

此外，采用大功率模块的第五代IGBT U4系列比传统IGBT产生的噪音更小，功率损失降低了30%。这有助于节约能源，提高能源转换效率，并易于使用。

由于功率半导体通常附着在设备散热片上，具有电隔离性，因此有必要使用具有高隔离性和导热性(高热释放性能)的衬底材料。功率半导体能携带的电流越高，衬底材料对热导率的要求就越高。大功率模块采用氮化硅作为其衬底材料，它具有更好的导热性，并且比传统的衬底材料氧化铝更不脆弱，使其能够支持更高的额定电流。

在U4系列中，噪声抑制和功率损失之间的权衡得到了更好的平衡。减少噪音产生将有助于客户的产品设计。

在第五代IGBT, U4系列中，电极结构由刨形改为沟槽，栅极垂直嵌入硅片中。这使得IGBT在相同体积下具有比传统IGBT更大的表面积和更高的电流密度。

1200v / 1700v 600a、800a、1200a、1600a	二八年十月一日
1200v / 1700v 2400a, 3600a	二八年十二月一日

¥50,000 - 100,000

如对本产品有任何疑问，请联系:
电源模块部
半导体业务计划及管理事业部。
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